Модулҳои NVH820S75L4SPB IGBT 750V, 820A SSD
♠ Тавсифи маҳсулот
| Аттрибути маҳсулот | Арзиши атрибут |
| Истеҳсолкунанда: | онсеми |
| Категорияи маҳсулот: | Модулҳои IGBT |
| Маҳсулот: | Модулҳои кремнийи IGBT |
| Конфигуратсия: | 6 - Баста |
| Коллектор - эмитент VCEO Max: | 750 В |
| Шиддати сершавии коллектор-эмиттер: | 1,3 В |
| Ҷараёни доимии коллектор дар 25 С: | 600 А |
| Ҷараёни ихроҷи дарвоза-эмиттер: | 500 мА |
| Pd - Пардохти нерӯ: | 1000 Вт |
| Баста / парванда: | 183AB |
| Ҳарорати ҳадди ақали корӣ: | - 40С |
| Ҳарорати максималии корӣ: | + 175 дараҷа гарм |
| Бастабандӣ: | Табақ |
| Бренд: | онсеми |
| Шиддати максималии эмитенти дарвоза: | 20 В |
| Услуби насб: | SMD/SMT |
| Навъи маҳсулот: | Модулҳои IGBT |
| Миқдори бастаи завод: | 4 |
| Зеркатегория: | IGBTs |
| Технология: | Si |
| Номи тиҷоратӣ: | VE-Trac |
| Вазни воҳиди: | 2,843 фунт стерлинг |
♠ Автомобилӣ 750 В, 820 A яктарафа сардкунии мустақим 6-бастаи модули барқи VE-Trac Модули мустақим NVH820S75L4SPB
NVH820S75L4SPB як модули энергетикӣ аз оилаи VE−Trac Direct аз модулҳои хеле ҳамгирошудаи энергетикӣ бо изи стандартии саноатӣ барои барномаи инвертерҳои тракционии Hybrid (HEV) ва Electric Vehicle (EV) мебошад.
Модул шаш Field Stop 4 (FS4) 750 V Narrow Mesa IGBT-ро дар конфигуратсияи 6-пакет муттаҳид мекунад, ки дар таъмини зичии баланди ҷараён бартарӣ дорад ва ҳамзамон ҳифзи мустаҳками ноқилҳои кӯтоҳ ва шиддати блокро пешниҳод мекунад. Илова бар ин, IGBTs FS4 750 V Narrow Mesa талафоти ками барқро ҳангоми бори сабуктар нишон медиҳанд, ки барои беҳтар кардани самаранокии умумии система дар барномаҳои автомобилӣ кӯмак мекунад.
Барои осонии васлкунӣ ва эътимоднокӣ, насли нави пинҳои фишорбаландӣ ба терминалҳои сигнали модули барқ интегратсия карда шудаанд. Илова бар ин, модули барқ дар лавҳаи таҳкурсӣ як гармкунаки оптимизатсияшуда дорад.
• Сардкунии мустақим бо гармкунаки ҳамгирошудаи Pin−fin
• Индуктивии ултра-паст
• Tvjmax = 175°C Фаъолияти муттасил
• VCESAT паст ва талафоти гузариш
• Автомобилӣ Синфи FS4 750 V танг Mesa IGBT
• Технологияҳои Chip Diode Барќарорсозии Fast
• Субстрати 4,2 кВ ҷудошудаи DBC
• Интегратсияи топологияи 6−pack осон
• Ин дастгоҳ Pb-Free аст ва бо RoHS мувофиқ аст
• Инвертерҳои гибридӣ ва барқии автомобилӣ
• Табдилдиҳандаҳои қудрати баланд
