STD86N3LH5 MOSFET N-канали 30 В
♠ Тавсифи маҳсулот
| Аттрибути маҳсулот | Арзиши атрибут |
| Истеҳсолкунанда: | STMicroelectronics |
| Категорияи маҳсулот: | MOSFET |
| RoHS: | Тафсилот |
| Технология: | Si |
| Услуби насб: | SMD/SMT |
| Баста/Пайдо: | ТО-252-3 |
| Қутбияти транзистор: | Канали N |
| Шумораи каналҳо: | 1 Канал |
| Vds - Шиддати шикастани дренаж-манбаи: | 30 В |
| Id - Ҷараёни дренажии доимӣ: | 80 А |
| Rds On - Муқовимат ба дренажӣ: | 5 мОм |
| Vgs - шиддати манбаи дарвоза: | - 22 В, + 22 В |
| Vgs th - шиддати ҳадди ниҳоии дарвоза: | 1 В |
| Qg - Пардохти дарвоза: | 14 нС |
| Ҳарорати ҳадди ақали корӣ: | - 55 С |
| Ҳарорати максималии корӣ: | + 175 дараҷа гарм |
| Pd - Пардохти нерӯ: | 70 Вт |
| Реҷаи канал: | Такмили |
| Тахассус: | AEC-Q101 |
| Бастабандӣ: | Рол |
| Бастабандӣ: | Лента бурида |
| Бастабандӣ: | MouseReel |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Конфигуратсия: | Муҷаррад |
| Вақти тирамоҳ: | 10,8 нс |
| Баландӣ: | 2,4 мм |
| Дарозӣ: | 6,6 мм |
| Навъи маҳсулот: | MOSFET |
| Вақти баландшавӣ: | 14 нс |
| Силсила: | STD86N3LH5 |
| Миқдори бастаи завод: | 2500 |
| Зеркатегория: | MOSFETs |
| Навъи транзистор: | 1 канали N |
| Вақти маъмулии таъхири хомӯшӣ: | 23,6 нс |
| Вақти маъмулии таъхири фаъолкунӣ: | 6 нс |
| Бар: | 6,2 мм |
| Вазни воҳиди: | 330 мг |
♠ Канали N-дараҷаи автомобилӣ 30 В, типи 0,0045 Ом, 80 A STripFET H5 Power MOSFET дар бастаи DPAK
Ин дастгоҳ як N-канали Power MOSFET мебошад, ки бо истифода аз технологияи STMicroelectronics' STripFET™ H5 таҳия шудааст.Дастгоҳ барои ноил шудан ба муқовимати хеле пасти давлатӣ оптимизатсия карда шудааст, ки ба FoM саҳм мегузорад, ки дар байни беҳтарин дар синфи худ аст.
• Барои барномаҳои автомобилӣ тарҳрезӣ шудааст ва дорои тахассуси AEC-Q101
• Муқовимати пасти RDS(фаъол)
• Ноустувории баланди тарма
• Кам талафоти қувваи гардонандаи дарвоза
• Гузаронидани барномаҳо
