Ронандагони дарвозаи VNS1NV04DPTR-E OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Тавсифи маҳсулот
| Аттрибути маҳсулот | Арзиши атрибут |
| Истеҳсолкунанда: | STMicroelectronics |
| Категорияи маҳсулот: | Ронандагони дарвоза |
| Маҳсулот: | Ронандагони дарвозаи MOSFET |
| Навъи: | Тарафи паст |
| Услуби насб: | SMD/SMT |
| Баста / парванда: | SOIC-8 |
| Шумораи ронандагон: | 2 Ронанда |
| Шумораи натиҷаҳо: | 2 Натиҷа |
| Ҷараёни баромад: | 1,7 А |
| Шиддати таъминот - Макс: | 24 В |
| Вақти баландшавӣ: | 500 нс |
| Вақти тирамоҳ: | 600 нс |
| Ҳарорати ҳадди ақали корӣ: | - 40С |
| Ҳарорати максималии корӣ: | + 150С |
| Силсила: | VNS1NV04DP-E |
| Тахассус: | AEC-Q100 |
| Бастабандӣ: | Рол |
| Бастабандӣ: | Лента бурида |
| Бастабандӣ: | MouseReel |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Ҳассос ба намӣ: | Бале |
| Ҷараёни таъминоти амалиётӣ: | 150 уА |
| Навъи маҳсулот: | Ронандагони дарвоза |
| Миқдори бастаи завод: | 2500 |
| Зеркатегория: | PMIC - IC-ҳои идоракунии нерӯ |
| Технология: | Si |
| Вазни воҳиди: | 0,005291 унс |
♠ OMNIFET II Power MOSFET-ро комилан худкор муҳофизат мекунад
VNS1NV04DP-E дастгоҳест, ки аз ду чипи монолитии OMNIFET II сохта шудааст, ки дар бастаи стандартии SO-8 ҷойгир шудаанд.OMNIFET II дар технологияи STMicroelectronics VIPower™ M0-3 тарҳрезӣ шудааст: онҳо барои иваз кардани MOSFET-ҳои стандартии Power MOSFET аз DC то 50 КГц замимаҳо пешбинӣ шудаанд.Дар бастани гармӣ, маҳдудияти ҷараёни хатӣ ва тазиқи аз ҳад зиёд чипро дар муҳити сахт муҳофизат мекунад.
Баррасии хатогиро тавассути мониторинги шиддат дар пинҳои вуруд муайян кардан мумкин аст.
• Маҳдудияти ҷараёни хатӣ
• Хомӯшии гармӣ
• Муҳофизати ноқилҳои кӯтоҳ
• Тазиқи ҳамгирошуда
• Ҷараёни кам, ки аз пинҳои вурудӣ гирифта мешавад
• Алоқаи ташхис тавассути пинҳои вуруд
• Муҳофизати ESD
• Дастрасии мустақим ба дарвозаи барқи mosfet (ронандаи аналогӣ)
• Бо mosfet қувваи стандартӣ мувофиқ аст
• Мувофиқи дастури аврупоии 2002/95/EC
