Ронандагони дарвозаи VNS3NV04DPTR-E OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Тавсифи маҳсулот
| Аттрибути маҳсулот | Арзиши атрибут |
| Истеҳсолкунанда: | STMicroelectronics |
| Категорияи маҳсулот: | Ронандагони дарвоза |
| RoHS: | Тафсилот |
| Маҳсулот: | Ронандагони дарвозаи MOSFET |
| Навъи: | Тарафи паст |
| Услуби насб: | SMD/SMT |
| Баста / парванда: | SOIC-8 |
| Шумораи ронандагон: | 2 Ронанда |
| Шумораи натиҷаҳо: | 2 Натиҷа |
| Ҷараёни баромад: | 5 А |
| Шиддати таъминот - Макс: | 24 В |
| Вақти баландшавӣ: | 250 нс |
| Вақти тирамоҳ: | 250 нс |
| Ҳарорати ҳадди ақали корӣ: | - 40С |
| Ҳарорати максималии корӣ: | + 150С |
| Силсила: | VNS3NV04DP-E |
| Тахассус: | AEC-Q100 |
| Бастабандӣ: | Рол |
| Бастабандӣ: | Лента бурида |
| Бастабандӣ: | MouseReel |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Ҳассос ба намӣ: | Бале |
| Ҷараёни таъминоти амалиётӣ: | 100 уА |
| Навъи маҳсулот: | Ронандагони дарвоза |
| Миқдори бастаи завод: | 2500 |
| Зеркатегория: | PMIC - IC-ҳои идоракунии нерӯ |
| Технология: | Si |
| Вазни воҳиди: | 0,005291 унс |
♠ OMNIFET II Power MOSFET-ро комилан худкор муҳофизат мекунад
Дастгоҳи VNS3NV04DP-E аз ду микросхемаҳои монолитӣ (OMNIFET II) дар бастаи стандартии SO-8 ҷойгир шудааст.OMNIFET II бо истифода аз технологияи STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 тарҳрезӣ шудааст ва барои иваз кардани MOSFET-ҳои стандартии Power MOSFET дар барномаҳои то 50 кГц DC пешбинӣ шудааст.
Хомӯшии гармии дарунсохт, маҳдудияти ҷараёни хатӣ ва тазиқи аз ҳад зиёд чипро дар муҳити сахт муҳофизат мекунад.
Баррасии хатогиро тавассути мониторинги шиддат дар пинҳои вуруд муайян кардан мумкин аст
■ ECOPACK®: бе сурб ва мувофиқи RoHS
■ Дараҷаи автомобилӣ: мутобиқат ба дастурҳои AEC
■ Маҳдудияти ҷараёни хатӣ
■ Хомӯшии гармӣ
■ Муҳофизати ноқилҳои кӯтоҳ
■ Клипи интегралй
■ Ҷараёни пасти аз пинҳои вурудӣ кашидашуда
■ Алоқаи ташхис тавассути пинҳои вуруд
■ Муҳофизати ESD
■ Дастрасии мустақим ба дарвозаи Power MOSFET (ронандаи аналогӣ)
■ Бо стандарти Power MOSFET мувофиқ аст
